模擬技術
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如何防止推挽式轉換器中的變壓器飽和
本期，為大家帶來的是《優化放大器電路中的輸入和輸出瞬態穩定時間》，將討論如何利用死區時間內的磁通量衰減效應，來有效防止推挽式轉換器中的變壓器飽和問題。...
首家大基金三期A+H基石投資企業，多核心賽道冠軍！納芯微正式發布港股招股書
電子發燒友網報道（文/吳子鵬）2025年11月28日，高性能高可靠性模擬及混合信號芯片設計公司納芯微正式發布港股招股書。納芯微不僅成為國家集成電路產業投資基金（簡稱“國家大基金”）三...
2025-11-29 標簽：納芯微 4122
意法半導體GaN晶體管推動下一代電機逆變器的發展
滿足日益增長的高能效和高功率性能需求，同時不斷降低成本和尺寸是當今功率電子行業面臨的主要挑戰。...
SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構
碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料的代表性材料，下圖1展示了SiC的材料優勢，相較于 Si，SiC 具有更高的禁帶寬度，使 SiC 器件的工作溫度可達 300℃以上(傳統 Si 器件為150 ℃)，適用于高溫環境...
德州儀器GaN器件釋放光伏系統更多潛能
如何盡可能高效地利用太陽能，光伏逆變器的性能是技術創新的核心。其中一項創新涉及使用氮化鎵 (GaN)。...
今日看點：黑芝麻智能擬4-5.5億元收購億智電子控股權；理想發布首款 AI 眼鏡
黑芝麻智能擬4-5.5億元收購億智電子控股權 ? 近日，黑芝麻智能國際控股有限公司（2533.HK，簡稱“黑芝麻智能”）發布內幕消息公告，更新此前披露的可能收購事項。根據公告，公司擬通過收...
2025-12-04 標簽： 737
領慧立芯LHA7530系列高精度ADC國產替代CS5530系列
作為曾廣泛應用于工業控制、稱重傳感、溫度監測等領域的經典 24 位 Σ-Δ 型 ADC 芯片，Cirrus Logic 旗下 CS5530 系列已即將步入停產流程 ——2026 年 9 月 12 日將迎來最終停產（EOL）節點，供應鏈端...
安森美垂直GaN技術賦能功率器件應用未來
在傳統橫向結構的GaN器件中，電流沿芯片表面流動。而垂直 GaN 的 GaN 層生長在氮化鎵襯底上，其獨特結構使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動。這種垂直電流路徑讓器件能...
合科泰MOS管在現代電源控制系統中的應用
在現代電源控制系統中，MOS管已成為不可或缺的核心器件。其最基礎且核心的作用，是作為高速開關元件，如通過柵極電壓的高低變化，快速切換源極與漏極之間的導通和截止狀態，進而實現對...
意法半導體TSB18系列運算放大器的應用示例
意法半導體TSB18系列運算放大器完美融合了高精度、多功能性、高效能和可靠性優勢。無論您正在設計工業控制系統、汽車電子、醫療設備還是儀器儀表，TSB181和TSB182高精度運算放大器都能滿足...
意法半導體高壓MOSFET明星產品深度解析
高壓MOSFET作為功率半導體領域的核心器件，憑借高耐壓、低損耗、高速開關的核心優勢，已成為工業電源、新能源儲能、汽車電動化等場景實現高效能量轉換的“關鍵引擎”。意法半導體深耕高...
三菱電機即將發布兩款4.5kV/1200A XB系列HVIGBT模塊
三菱電機集團今日（2025年12月2日）宣布，將于12月9日發布兩款4.5kV/1200A XB系列HVIGBT模塊，包括標準絕緣（6.0kVrms）封裝和高絕緣（10.0kVrms）封裝。這些大容量功率模塊專為軌道交通車輛等大型工...
三菱電機SiC MOSFET在工業電源中的應用
SiC器件具有低開關損耗，可以使用更小的散熱器，同時可以在更高開關頻率下運行，減小磁性元件體積。采用SiC器件的工業電源，可以實現高效率和高功率密度。三菱電機開發了一系列適合工業...
首家大基金三期A+H基石投資企業，多核心賽道冠軍！納芯微正式發布港股招股書
電子發燒友網報道（文/吳子鵬）2025年11月28日，高性能高可靠性模擬及混合信號芯片設計公司納芯微正式發布港股招股書。納芯微不僅成為國家集成電路產業投資基金（簡稱“國家大基金”）三...
2025-12-02 標簽： 4546
Power Integrations榮獲2025全球電子成就獎之年度電源管理獎
2025國際集成電路展覽會暨研討會（IIC Shenzhen）正于11月25日至26日在深圳大中華喜來登酒店舉辦。在此次展會上，Power Integrations（簡稱：PI）旗下的InnoMux-2 1700V氮化鎵IC 榮獲2025 ASPENCORE全球電子成...
FS-IGBT短路耐受能力提升方法
隨著能源效率成為全球關注的焦點，半導體行業迎來了技術革新的浪潮。金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)便是這一背景下的產物，其通過電場效應調控導電通道，顯著降低了驅動所需的能...
5W超低功耗 + 14.4GB/s吞吐量！慧榮推出新一代PCIe 5.0 SSD主控SM8388
電子發燒友網綜合報道 在數字化發展的當下，數據存儲領域正經歷變革。SSD主控芯片作為固態硬盤核心部件，掌控數據讀寫、存儲與傳輸等關鍵操作，決定SSD性能，影響存儲系統穩定性與可靠...
2025-12-01 標簽：存儲 849
技術資訊 I 共模信號與差模信號解析
本文重點傳導噪聲分為共模信號和差模信號兩種類型。無論是共模信號還是差模信號，都需要兩根導線進行傳輸。電路中產生共模噪聲的主要原因是電路器件之間、器件與地之間存在寄生電容。...
飛虹IGBT單管FHA40T65A在逆變器電路設計中的應用
FHA40T65A作為一款場N溝道溝槽柵截止型IGBT單管，采用TO-3PN封裝，使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通過優化工藝，來獲得極低的 VCEsat 飽和壓降，并在導通損耗和關斷損耗（Eoff）之間做出來良好的...
東芝新型功率MOSFET助力高效電源系統設計
數據中心機房內，數十臺服務器電源正發出沉悶的嗡鳴——這并非設備平穩運行的正常律動，而是散熱風扇因器件高溫被迫“超負荷加班”的抗議；工業車間的變頻器旁，工程師緊盯著測溫儀眉...
安森美榮獲2025全球電子成就獎之年度功率半導體/驅動器產品獎
11月25日，安森美（onsemi）采用TOLL封裝的 5mOhm /750V SiC Combo JFET UG4SC075005L8S憑借卓越的性能和創新的設計，榮獲2025年全球電子成就獎（World Electronics Achievement Awards, 簡稱WEAA）年度功率半導體/驅動...
基于安森美產品的在線式不間斷電源解決方案
20 世紀不間斷電源（UPS）剛問世時，其唯一用途是在停電時提供應急供電，而高昂的成本限制了它的應用范圍。如今，隨著電力電子技術的持續發展，UPS 已能夠高效優化電能質量、過濾線路噪...
圣邦微電子模數轉換器SGM58201榮獲2025全球電子成就獎之年度創新產品獎
在由全球電子技術領域知名媒體機構AspenCore主辦的“2025全球電子成就獎”評選中，圣邦微電子高精度、低噪聲模數轉換器SGM58201，憑借其卓越的性能與創新設計，榮獲“年度創新產品獎”。...
電流轉電壓模塊電路原理圖解析
工業傳感器常使用電流大小來傳輸數據，那么作為傳感器數據的接收方，比如單片機，有內部AD的單片機可以檢測電壓的大小，那么首先必須將電流信號轉換為電壓信號，然后進行電壓幅值變換...
今日看點：聯想 CFO：正囤積 PC 內存，避免轉嫁成本到消費者；OpenAI 原型AI 硬件
聯想 CFO：正囤積 PC 內存，避免轉嫁成本到消費者 業內媒體報道，聯想集團正在加大內存芯片庫存，以應對人工智能產業帶來的供應緊張與價格上漲。聯想 CFO 鄭孝明在采訪中表示，公司當前零...
2025-11-25 標簽： 1006
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